Transistors 2SB0621A Manuals


 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Transistors 
2SB0621A
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-frequency driver amplification
Complementary to 2SD0592A 
 Features
 Package
 Low col ector-emit er saturation voltage VCE(sat)

Code
 High transition frequency fT
  TO-92B-B1
 

Pin Name
 Absolute Maximum Ratings  Ta = 25°C
  1. Emit er
Parameter
Symbol
Rating
Unit
  2. Col ector
  3. Base
Col ector-base voltage (Emit er open)
VCBO
–60
V
Col ector-emit er voltage (Base open)
VCEO
–50
V
Emit er-base voltage (Col ector open)
VEBO
–5
V
Col ector current
IC
–1
A
Peak col ector current
ICP
–1.5
A
Col ector power dissipation
PC
750
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
 Electrical Characteristics  Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Col ector-base voltage (Emit er open)
VCBO
IC = –10 mA, IE = 0
–60
V
Col ector-emit er voltage (Base open)
VCEO
IC = –2 mA, IB = 0
–50
V
Emit er-base voltage (Col ector open)
VEBO
IE = –10 mA, IC = 0
–5
V
Col ector-base cutoff current (Emit er open)
ICBO
VCB = –20 V, IE = 0 
– 0.1
mA
h
Forward current transfer ratio
FE1 *
VCE = –10 V, IC = –500 mA
85
340

hFE2
VCE = –5 V, IC = –1 A
50
Col ector-emit er saturation voltage
VCE(sat) IC = –500 mA, IB = –50 mA
– 0.2
– 0.4
V
Base-emit er saturation voltage
VBE(sat) IC = –500 mA, IB = –50 mA
– 0.85
–1.2
V
Transition frequency
fT
VCB = –10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz
200
MHz
Col ector output capacitance
C
(Common base, input open circuited)
ob
VCB = –10 V, IE = 0, f = 1 MHz
20
30
pF
Note)  1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
 
2. *: Rank classification
 
   
Rank
Q
R
S
hFE1
85 to 170
120 to 240
170 to 340
Publication date : October 2008 
SJC00416AED 
1


Big size of image:

Please install Flash player from http://get.adobe.com/flashplayer/!

40 40 47 47

Designated trademarks and brands are the property of their respective owners | Disclaimer