Transistors 2SA2122G Manuals


This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Transistors 
2SA2122G
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SC5950G
 Features
 Package
 High forward current transfer ratio hFE

Code
 Smini typ package, allowing downsizing of the equipment and automatic 
  SMini3-F2
insertion through the tape packing

Marking symbol : 7L

Pin name
 Absolute Maximum Ratings  Ta = 25°C
  1. Base
Parameter
Symbol
Rating
Unit
  2. Emit er
  3. Col ector
Col ector-base voltage (Emit er open)
VCBO
-60
V
Col ector-emit er voltage (Base open)
VCEO
-50
V
Emit er-base voltage (Col ector open)
VEBO
-7
V
Col ector current
IC
-100
mA
Peak col ector current
ICP
-200
mA
Col ector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-55 to +150
°C
 Electrical Characteristics  Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Col ector-base voltage (Emit er open)
VCBO
IC = -10 mA, IE = 0
-60
V
Col ector-emit er voltage (Base open)
VCEO
IC = -2 mA, IB = 0
-50
V
Emit er-base voltage (Col ector open)
VEBO
IE = -10 mA, IC = 0
-7
V
Col ector-base cutoff current (Emit er open)
ICBO
VCB = -20 V, IE = 0
- 0.1
mA
Col ector-emit er cutoff current  (Base open)
ICEO
VCE = -10 V, IB = 0
-100
mA
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = -10 V, IC = -2 mA
160
460

Col ector-emit er saturation voltage
VCE(sat) IC = -100 mA, IB = -10 mA
- 0.2
- 0.5
V
Transition frequency
fT
VCB = -10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Col ector output capacitance
C
(Common base, input open circuited)
ob
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz
2.2
pF
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Publication date: April 2007 
SJC00351AED 
1


Big size of image:

Please install Flash player from http://get.adobe.com/flashplayer/!

37 37 50 50

Designated trademarks and brands are the property of their respective owners | Disclaimer